

WT8509是一款高效率、超低EMI的AB/D类可切换单声道音频放大器。在8.5V供电、4Ω负载下,AB类可输出8W,D类可输出8.5W功率。D类模式下采用免滤波器PWM调制结构,效率高达90%,大幅减少外围元件和PCB面积。内置AERC技术有效降低EMI干扰,具备过流、短路、过热保护及自动恢复功能。采用ESOP8封装,适用于手提电脑、多媒体音箱、扩音器等便携音频设备。
ABD引脚控制:高电平=D类(高效低EMI),低电平=AB类(无开关噪声)。
8.5V/4Ω → D类8.5W / AB类8W (10% THD+N)
7.4V/4Ω → D类6.9W / AB类6.9W
D类效率>90%,关断电流<0.1?A,静态电流仅2.5mA(3.6V)。
过流保护、短路保护、过热保护、欠压保护,自动恢复功能。
专有自适应边沿率控制,大幅降低EMI,FCC标准下余量>20dB。
电源抑制比高达-80dB @ 217Hz,有效抑制电源纹波噪声。
| 引脚 | 符号 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | SD | 关断控制:高电平(>2V)芯片正常工作,低电平(<0.8V)关断(关断电流<0.1?A)。不可悬空。 |
| 2 | ABD | 模式选择:高电平→D类(高效率),低电平→AB类(无EMI)。 |
| 3 | IN+ | 音频输入正端。 |
| 4 | IN- | 音频输入负端。 |
| 5 | VDD | 电源正极 (2.5V~9.2V)。 |
| 6 | VO+ | 正向音频输出端。 |
| 7 | VO- | 反向音频输出端。 |
| 8 | GND | 电源负极。 |
| 底部散热焊盘 (Exposed Pad) 必须与GND连通,并大面积铺铜散热。 | ||
| 参数 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 静态电流 IDD | VDD=7.5V, 无负载 | 4.6 | mA |
| VDD=3.6V, 无负载 | 2.5 | mA | |
| 关断电流 ISD | SD=0V | 0.1 | ?A |
| 输出失调电压 | Vin=0V | 5 | mV |
| PSRR | VDD=2.5~9.2V, 217Hz | -80 | dB |
| CMRR | 输入短接 | -70 | dB |
| 启动时间 | - | 200 | ms |
| 模式 | 供电电压 | 负载 | THD+N=10% 功率 | THD+N=1% 功率 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| D类 | 8.5V | 4Ω | 8.5 | 7.5 | W |
| 7.4V | 4Ω | 6.9 | 5.6 | ||
| 7.4V | 8Ω | 3.5 | 3.0 | ||
| 5.0V | 8Ω | 1.56 | 1.0 | ||
| AB类 | 8.5V | 4Ω | 8.0 | 7.5 | |
| 7.4V | 4Ω | 6.9 | 5.6 | ||
| 7.4V | 8Ω | 3.5 | 3.0 | ||
| 5.0V | 8Ω | 1.56 | 1.0 |
差分输入增益 AV = 2 × (Rf / Rin)。Rf为内部反馈电阻(典型值请参考手册),外部Rin决定增益。建议Rin≥10kΩ,使用1%精度电阻。
Cin与Rin构成高通滤波器,截止频率 fc = 1/(2π Rin Cin)。适当增大Cin可改善低频响应,但可能增加POP声。
专有自适应边沿率控制,在全音频带宽内大幅降低EMI,即使不使用输出滤波器,在60cm音频线条件下仍可通过FCC标准(余量>20dB)。
免滤波设计可直接接喇叭。若EMI敏感或输出线较长,可加磁珠+电容或LC滤波器(33?H电感+电容)。
| 产品型号 | 封装 | 包装方式 | 最小包装(PCS) |
|---|---|---|---|
| WT8509 | ESOP8 | 管装 | 100/管 |
speed
stock
delivery
performance
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